技术编号:11859232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体的技术领域,尤其涉及一种半导体功率器件结构的制备结构。背景技术功率集成电路有时也称高压集成电路,是现代电子学的重要分支,可为各种功率变换和能源处理装置提供高速、高集成度、低功耗和抗辐照的新型电路,广泛应用于电力控制系统、汽车电子、显示器件驱动、通信和照明等日常消费领域以及国防、航天等诸多重要领域。其应用范围的迅速扩大,对其核心部分的高压器件也提出了更高的要求。对功率器件MOSFET而言,在保证击穿电压的前提下,必须尽可能地降低器件的导通电阻来提高器件性能。但击穿电压和导通电阻...
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