技术编号:11859264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能光伏的技术领域,尤其是指一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池。背景技术目前,传统的砷化镓多结太阳电池因其转换效率明显高于晶硅电池而被广泛地应用于聚光光伏发电(CPV)系统和空间电源系统。砷化镓多结电池的主流结构是由GaInP、GaInAs和Ge子电池组成的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池,电池结构上整体保持晶格匹配,带隙结构为1.85/1.40/0.67eV。然而,对于太阳光光谱,由于GaInAs子电池和Ge子电池之间较大的带隙差距,这种三结电池的带隙组合并不是最...
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