技术编号:11859288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及发光二极管技术领域,具体为一种氮化镓系发光二极管结构。背景技术在现有的氮化镓系LED中,通常采用蓝宝石作为衬底。然而,由于蓝宝石与III族氮化物之间的晶格失配以及III族氮化物的极化特性,使得在活性层及整个LED结构中存在很强的极化场,从而减弱了对载流子的限制作用,降低了器件的发光效率。由于p型AlGaN电子阻挡层的生长温度较高,而p型掺杂剂(比如Mg)在高温下的扩散系数增加很快,因此在p型AlGaN电子阻挡层高温生长的过程中,p型掺杂剂将不可避免地向位于其下的InGaN/GaN多...
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