技术编号:11861277
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,特别是涉及一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法。背景技术场效应晶体管(FET)的寄生电阻是指FET的三个电极(源极、漏极和栅极)的寄生电阻,分别表示为Rs、Rd和Rg,它们主要受电极金属损耗、欧姆接触等因素影响。FET的寄生电阻的大小可以反映半导体工艺制程的优劣,在制造过程中一般需要尽量减小它们;同时,寄生电阻(特别是源极寄生电阻Rs)的提取是FET器件小信号建模中最关键也是最难的步骤,它们的提取精度,直接影响到FET其它参数的提取精度。FET的沟道...
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