技术编号:11861874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电子技术领域,具体涉及一种开关电源转换器。背景技术对于高压或大电流的开关电源转换芯片来说,由于N沟道MOS管的导通电阻较小,一般是P沟道MOS管的三分之一左右,采用N沟道MOS管的芯片可以比采用P沟道MOS管占用更小的面积,具有更小的导通损耗,因而通常采用N沟道MOS管作为开关电源转换器的开关器件。N沟道MOS管需要在栅极和源极之间的电压降Vgs大于一阈值电压时,才会导通,阈值电压的存在会产生较大的功耗;如图1所示,对于上下管都是N管的拓扑来说,通常设置自举升压电路以便让上管的阈值...
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