技术编号:11863726
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电子设备技术领域,具体为一种基于硅通孔技术的三维集成电路箱。背景技术穿透硅通孔技术,一般简称硅通孔技术,它是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于硅通孔技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,可以有效地实现这种3D芯片层叠,制造出结构更复杂、性能更强大、更具成本效率的芯片,成为了目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。随着集成度不断提高,每片上的器件单元数量急剧增加,芯片面积增大,单元间连线的增长既影响电路工作速度又占用很多面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。