技术编号：11867505
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种基于电容机构的一次性可编程器件及编程实现方法。背景技术OTP(onetimeprogrammable,一次可编程器件)是常见的一种NVM(非易失性存储器)，一次性编程在编程过程中不可逆转，只允许写一次。STT-MRAM是一种非易失的存储器，它的存储结构采用MTJ磁性隧道结，中间的称为势垒层，上下为自由层和参考层。针对MTJ(磁性隧道结)的一次性编程通常采用加高压的方式击穿势垒层，击穿后的势垒层表现为低阻抗(约100欧姆左右)。势垒层的击穿电压比普通的编程电...
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