技术编号：11867514
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉一种刷新电路，尤其涉及一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及刷新方法。背景技术DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器，是最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。由于DRAM由MOS技术制造，使用电容来做存储单元。DRAM的功耗低，速度慢。另一方面，静态随机存储器(SRAM)速度快并且不需要刷新，然而静态...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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