技术编号:11868341
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种鳍式场效应晶体管的形成方法。背景技术MOS晶体管通过在栅极施加电压,调节通过沟道区域的电流来产生开关信号。随着半导体技术的发展,传统的平面式MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱,造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种新兴的多栅器件,它一般包括凸出于半导体衬底表面的半导体鳍部,覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构,位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。在鳍式场效应晶体管的制备过程中,通常会形成位于栅极两侧的侧墙。图1和图2是现有技术鳍式...
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