技术编号:11869327
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域,具体涉及一种等离子体刻蚀炉。背景技术现有的等离子体刻蚀炉,有的也可以放置多片晶圆,以便同时对多片晶圆进行刻蚀过程,但是现有的等离子体刻蚀炉中,多片晶圆一般都层叠放置,而反应气体的通入孔只能是偏置在炉体的一端,则如果刻蚀过程中有气体通入后,则处于后方的晶圆对气体的接触面较少,会造成反应不均匀。发明内容针对现有技术的不足,本发明公开了一种等离子体刻蚀炉。本发明的技术方案如下:一种等离子体刻蚀炉,包括圆柱状的炉体;所述炉体的一端的上侧开放有气体进入通道;所述炉体下侧开放有真...
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