技术编号:11869447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造工艺领域,具体涉及一种SONOS存储器的制造工艺方法,尤其涉及一种优化SONOS存储器设定值提高产品良率的方法。背景技术SONOS存储器(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon,以氮化硅作为电荷存储介质的存储器),因为具备良好的等比例缩小特性和抗辐照特性而成为目前主要的闪存类型之一。目前SONOS存储器都普遍存在因为工艺差异或者漂移造成的存储器单元器件VT(阈值电压)窗口漂移的现象,这种差异可以存在于一片晶圆内,一个批次内,甚至一个平台...
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