技术编号：11869582
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及SONOS结构中嵌入式闪存的一种改进的制造方法，可以改善SONOS器件在尺寸微缩情况下的性能退化问题。背景技术请参阅图1a-图1c，图1a-图1c是现有的一种SONOS结构嵌入式闪存的制造工艺步骤图。目前在CMOS器件工艺中集成SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅，一种非易失性存储器)器件，制造嵌入式闪存时通常会增加以下工艺步骤：1)如图1a所示，硅衬底10上定义有SONOS器件的核心器件区Ⅰ、外围器件区Ⅱ、存储器件区Ⅲ。在硅衬底中完成阱注入之后...
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