技术编号:11869736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器制造技术领域,尤其涉及一种浮栅型闪存及其制备方法。背景技术在浮栅型闪存中,字线(WL)与浮栅(FG)之间的隔离层厚度直接影响浮栅型闪存的写入效率,现有方式一般采用高温氧化(HighTemperatureOxidation,HTO)的方式隔离,这种方式的优势是工艺过程较简单。但因为字线与浮栅之间的隔离层厚度直接决定浮栅的隔离性能以及浮栅型闪存的编程效率,现有做法在控制栅(CG)形成完之后再用HTO方式形成侧墙结构,利用该HTO方式形成的侧墙结构来隔离FG与WL的方法需要较厚...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。