技术编号:11870152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管与其制作方法。背景技术发光二极管(light-emittingdiode;LED)是一种能够将电流转换为光能的半导体发光装置。作为光源,发光二极管具有低能量消耗、使用寿命长、体积小、反应速度快等优点。因此,发光二极管已经逐渐取代白炽灯等传统照明装置。据此,以氮化镓(包含氮化铟镓及氮化铝镓)做为基底的发光二极管已成为发光二极管照明领域的主流。然而,在磊晶时,以氮化镓做为基底的发光二极管的发光效率可能会受到穿透位错(threadingdislocation)缺陷的影响。穿透位...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。