技术编号：11870155
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED芯片领域，具体涉及一种紫外LED倒装芯片。背景技术现有的LED芯片上都设置有ITO作为透明电极层，进行均匀导电，但是ITO对紫外光具有较强的吸收作用，影响紫外LED芯片发挥作用。发明内容为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种紫外LED倒装芯片。本发明所采用的技术方案是：一种紫外LED倒装芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型GaN层、量子阱有源区、P型GaN层，所述P型GaN层上设置有透明电极层，所述透明电极层为ITO，所述透明电极层上开设有多个微孔。进一步，所述衬底为...
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