技术编号：11870173
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域，具体涉及发光二极管外延结构的生产技术领域。技术背景近年来，氮化物基底LED被广泛地应用于显示屏、背光、照明以及路灯等众多领域，随着较高功率LED的大规模应用，市场对于LED的亮度、发光效率等提出更高的要求。目前通过外延结构提高LED发光效率主要是提高其内量子效率：一是量子阱结构的优化，大多采用渐变In组分、渐变量子阱厚度、AlInGaN超晶格、Delta掺杂Si元素等，缓解有源区中的应力、降低量子限制斯塔克效应的影响，提高电子和空穴空间波函数的交叠；二是对P型GaN材料...
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