技术编号：11872543
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体端泵浦腔内倍频355nm高功率紫外激光器，属于激光设备技术领域背景技术紫外激光器的输出波长短。材料作用力强，分辨率高，聚焦点可小到几个微米数量级，已经在半导体领域，材料精细加工，紫外固化等外固化等领域有了广泛的应用。半导体端泵浦腔内倍频紫外激光器具有光束质量好。功率稳定性好，可靠性高，使用方便，体积小等诸多优点。半导体泵浦的固体紫外激光输出的实现：半导体激光器端泵浦或者侧泵浦Nd:YVO4、Nd:GdVO4、Nd:YLF等激光晶体产生基频光，基频光通过倍频晶体倍频产生二倍频绿光，...
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