技术编号：11888196
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的溅射靶及其制造方法技术领域本发明涉及用于通过溅射法形成薄膜的包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的溅射靶及其制造方法。背景技术在硬盘等磁记录介质中使用包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的薄膜。这样的薄膜通常通过使用包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的靶进行溅射而形成。众所周知，溅射是指如下的成膜方法：向靶照射Ar离子，通过其撞击能量将粒子从靶轰出，并将其在与靶对置的基板上形成以由靶材料构成的物质作为基本成分的薄膜。靶材料在高能量状态下撞击并沉积在基板表面...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。