技术编号：11891323
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容的实施方式一般地涉及处理基板的方法。背景技术传统的线路中段(middle-of-the-line,MOL)制造使用具有钛(Ti)/氮化钛(TiN)、钨成核层和钨填充层的堆叠。TiN被用作为氟阻挡层。钨成核层通过例如使用二硼烷(B2H6)和六氟化钨(WF6)的化学气相沉积形成于TiN层顶上。相较于钨填充层，TiN阻挡层和钨成核层两者都是高电阻性的。最小的TiN阻挡层厚度为至少约20埃。钨成核层通常具有约10埃至约30埃的厚度。随着电子器件的几何大小持续缩小和器件密度持续增加，整体特征尺寸...
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