技术编号:11901225
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及磁控溅射真空镀膜领域,特别涉及平面圆形磁控溅射阴极靶的磁场源设计。背景技术磁控溅射镀膜技术是一种低温、高效且应用范围很广的薄膜制备技术。磁控溅射阴极靶背面的磁场源设计是影响靶材溅射和薄膜沉积的重要因素。传统的磁场源通常由外围永磁铁和中心永磁体构成,靶表面附近产生圆弧形磁场分布,如图3a所示。可以看出在圆弧顶部具有最大的水平方向的磁场分量,该处能最有效的束缚电子运动,可以产生高浓度的等离子放电,导致其正下方的阴极靶以最快速率被刻蚀,而靶的其它位置则刻蚀较慢,甚至不刻蚀。靶材表面的非均...
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