技术编号:11912804
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料的加工,特别是涉及一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。背景技术氮化镓(GaN)晶体是新型第三代半导体电子材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、热导率大和化学稳定性等优点,在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等器件领域有广阔的应用前景。GaN晶片的表面状态对其作为器件和外延衬底应用有着重要影响。在器件制造过程中,GaN晶片表面存在的划痕和损伤层,会使晶格发生周期性严重破坏,形成空间电荷区,造成表面漏电流,使其器件噪声和漏电流增加,从而影...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。