技术编号:11914043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光伏电池技术领域,特别涉及到一种晶体硅体寿命的精确测量方法。背景技术半导体中少数载流子的寿命对双极型器件的电流增益、正向压降和开关速度等起着决定性作用。半导体太阳能电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率也和载流子的寿命有关。因此,半导体中少数载流子寿命的测量一直受到广泛的重视。在测量少子寿命时,除了硅片体内的重金属杂质会产生复合中心,单晶表面缺陷也会起到复合中心的作用,因此非平衡少子寿命测量值不仅取决于体内重金属杂质数量,也与表面缺陷数量有关。对不同硅表面,表面复合...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。