技术编号：11919619
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于辐射效应数值模拟技术领域，涉及一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法。背景技术中子辐照会在双极型晶体管中引起位移损伤效应。位移损失效应主要是中子通过弹性散射碰撞，使靶原子核获得足够能量而离开其晶格位置，在组成双极型晶体管的半导体材料中产生位移损伤缺陷，引起晶体管电流增益下降，导致晶体管性能退化甚至失效。开展双极型晶体管中子位移效应的数值模拟，可以从晶体管器件物理层面分析效应现象规律和微观机制，是双极型晶体管抗中子辐射加固设计的重要技术支撑。现有的双极型晶体管中子位移效应数值模拟方法主要是...
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