技术编号：11925130
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及空气桥制备技术领域，具体涉及一种半导体工艺空气桥的制作方法。背景技术在高频及超高频器件中，需要降低金属电极引线的寄生电容以提高器件的灵敏度。由于空气的介电常数值接近1，利用空气桥方法实现金属电极引线能极大地降低寄生电容，避免使用沉积价格昂贵的低介电常数介质薄膜材料的工艺流程；同时空气桥结构为电极引线提供低热阻连接和散热通道。目前,现有技术普遍应用AZ系列及S18系列等正性光刻胶作为空气桥工艺的牺牲层，或者在牺牲层上蒸发一层金属层作为种子层对牺牲层进行保护；在牺牲层上制作金属电极图形时通...
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