技术编号:11925141
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭露是有关于一种量测方法。背景技术多年来,已经存在装置用于在制造期间的各阶段处评价半导体晶圆的参数。现代材料科学愈加注重于在极小尺度上对材料进行分析及控制。随着几何形状持续缩减,制作商已经愈加转向光学技术以执行半导体晶圆的非破坏性检查与分析。一种类型的光学检查与分析称为光学量测且使用一系列不同光学技术来执行。发明内容根据一些实施方式,提供一种半导体样品的布植剂量分布的量测方法。量测方法包含在半导体样品的三维结构中产生光调变效应且量测三维结构的反射信息。获得半导体样品的三维结构的几何形状信息。将...
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