技术编号:11925337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种多路径电感结构及其制造方法。背景技术随着无线移动通信技术的迅猛发展,射频集成电路(RFIC,RadioFrequencyIntegratedCircuit)变得越来越重要,射频集成电路是一种工作在300MHz~300GHz频率范围内的集成电路。并且由于硅基集成电路制造成本相对较低,使得硅基射频集成电路对GaAs基集成电路具有相当大的竞争力。在射频集成电路中,电感器起着非常重要的作用,成为一种关键的电子元器件而广泛地应用在各种射频集成电路中,例如电压控振荡器(...
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