技术编号:11925367
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括硅可控整流器的静电放电保护装置。背景技术集成电路一般包括用于将在制造过程期间出现的电流(例如,由于带电人体(“人体模型”或“HBM”)的放电)分流的静电放电(ESD)装置。具体地说,在焊盘类ESD设计中,通常将ESD保护局部放置并且连接到输出级MOS的漏极。在ESD事件期间,在ESD装置两端已达到触发电压后出现电流分流。当ESD装置触发时,该ESD装置的电压降至保持电压。因此,ESD装置的触发电压应高于产品的最大工作电压。关于焊盘类ESD设计的挑战为ESD保护装置通常具有比受保护的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。