技术编号:11925420
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示面板的技术领域,尤其涉及一种基板及其制作方法、显示面板。背景技术目前,在形成阵列基板时,包括在衬底基板上形成薄膜晶体管(TFT)的图形,然后在薄膜晶体管的源漏金属层上方形成钝化层,且钝化层中包括贯穿钝化层的过孔,然后在钝化层之上形成像素电极(ITO)的图形,且像素电极通过钝化层中的过孔与源漏金属层电性相连。一般地,钝化层的材质通常采用氮化硅SiNx进行制作,由于含有氮化硅的密度不同,钝化层包括三层结构,按照从下到上的顺序依次包括过渡层、主体层和顶层。其中,过渡层为了避免钝化层中的主...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。