技术编号:11925514
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种平面栅沟槽型超级结器件。本发明还涉及一种平面栅沟槽型超级结器件的制造方法背景技术超级结为由形成于半导体衬底中的交替排列的P型薄层也称P型柱(Pillar)和N型薄层也称N型柱组成,利用P型薄层和N型薄层完成匹配形成的耗尽层来提升反向耐压同时保持较小的导通电阻。超级结的PN间隔的Pillar结构是超级结的最大特点。现有制作PN间隔的pillar结构主要有两种方法,一种是通过多次外延以及离子注入的方法获得,另一种是通过深沟槽刻蚀以及外延(EPI)填充的...
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