技术编号:11925547
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。背景技术高电子迁移率晶体管,也称为异质结构FET(HFET)或调制掺杂FET(MODFET),结合了具有不同带隙的两种材料之间的结(即,异质结)作为沟道,而不是如大多数金属氧化物半导体鳍式场效应晶体管(MOSFET)中的掺杂区域。HEMT晶体管能在高达毫米波频的高频下运行,并且用在高频产品中。HEMT通常使用采用III-V化合物半导体的材料组合。诸如砷化镓、砷化铝镓、氮化镓或氮化铝镓的化合物半导体可以用作HEMT的沟道中的结。发明内容本发明的实施例提供了...
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