技术编号:11925597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及MOS管驱动电路,具体涉及一种低压小信号驱动高压MOS的电路。背景技术目前的MOS驱动电路要实现小信号驱动高压MSO或双电源隔离驱动时,必须使用专用的IC,成本高,应用灵活性差,结构复杂。发明内容本实用新型针对上述问题,提供一种低压小信号驱动高压MOS的电路,包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6,稳压管D1;电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6,三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6,稳压管D1;电源V1分别连接R1和R2;PWM...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。