技术编号：11925666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体光电器件，尤其涉及一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法。背景技术随着科学技术的进步，各个领域对光电探测器的需求越来越大，如战略预警、夜视等恶劣环境下的目标识别、制导、辅助医疗、气象监测、环境监测和地球资源探测等。目前应用最广泛的HgCdTe等探测器仍有着成本高、均匀性差等缺点，使得新一代光电探测器的研发迫在眉睫。II类超晶格探测器由于其材料的特性，光吸收系数可与HgCdTe相比拟；其0.61nm的材料体系可带来充足的设计自由度，带隙可以通过调节每个周期的I...
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