技术编号：11925776
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种LED灯的生产工艺，尤其涉及一种高亮度落bin率集中的LED灯的生产工艺，属于半导体照明装置制作工艺。背景技术LED是英文lightemittingdiode的缩写，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED灯以质优、耐用、节能为主要特点，1998年发白光的LED开发成功，这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成，GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色...
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