技术编号:11928926
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氧化物半导体膜的溅射靶及其制备方法。背景技术随着信息技术的飞速发展,平板显示技术正向着更高分辨率、更快响应速度、更低能耗、全透明器件以及柔性显示等目标发展,这也对有源驱动显示(如AMLCD,ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay)中TFT(thinfilmtransistor)器件的性能提出更高要求。传统的非晶硅TFT由于其迁移率较低(~0.5cm2V-1s-1)的特性不能满足高分辨率、大尺寸LCD的显示要求,更限制其在AMOLED(ActiveMatri...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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