技术编号:11932629
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种电感耦合等离子处理器的结构设计。背景技术如图1所示,传统电感耦合(ICP)等离子处理装置包括一个反应腔1,反应腔内包括一个基座8,基座内包括下电极。基座上方包括待处理的晶圆7。一个射频电源通过一个匹配器2的输出端输出射频功率,匹配器2的输出端通过导线4连接到下方的电感线圈。电感线圈5同时位于反应腔顶部上方,电感线圈5透过位于反应腔1顶部的绝缘材料窗6将射频电磁场馈入反应腔内空间,以产生等离子体。反应腔顶部的绝缘材料窗6受到各种热源的影响会导致整个平面上的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。