技术编号:11935319
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种配制系统,尤其是一种三氯化铁ITO刻蚀液配制系统,属于化工设备技术领域。背景技术铟锡氧化物(ITO)导电膜具有电阻率低、透光性好、高温稳定性好及制备和图形加工工艺简单等诸多优点,是一种理想的透明电极材料,被广泛应用于LCD、PDP、FED、OLED/PLED等平板显示器上作为透明电极。为制备所需要的电极图形,就要对ITO导电膜进行蚀刻。蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻,其中,湿蚀刻是采用化学试剂,经由化学反应达到蚀刻的目的。FeCl3系...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。