技术编号:11935481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置背景技术领域本文所公开的实施方式总体涉及一种用于形成电介质膜的装置,并且更具体地涉及一种用于使用基于自由基的沉积来形成电介质膜的装置。背景技术形成无氢电介质膜(诸如无氢含硅电介质膜)是发展下一代的电子器件的关键任务。电介质膜常用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成。然而,用于沉积含非晶硅的电介质膜的当前PECVD技术导致含有高氢含量(诸如约15原子百分比或更多的氢)的膜。高氢含量大多呈硅-氢键的形式,这在电介质膜中产生了缺陷。此外,高氢含量导致具有低蚀刻...
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