技术编号:11937881
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于MCZ法单晶硅拉制领域,具体涉及一种用于制备头部低氧单晶硅的降氧工艺及工艺设备装置。背景技术制备头部低氧单晶硅棒,减少单晶内部由于氧高诱发的缺陷,可以提高后期产品成品率和单晶性能的可靠性;而行业内在单晶硅棒拉制过程中,持续高温进行化料期间,溶硅与石英坩埚极速反应,致使溶硅中氧含量在此阶段极速增加并达到峰值;其中MCZ法拉制可以有效降低晶体氧含量,但同时抑制了化料完成后溶硅中氧的挥发,无法降低晶体头部氧含量,致使MCZ法制备单晶头部氧含量仍然偏高。研究发现,单晶炉拉制单晶硅棒的生产过程中...
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