技术编号:11937885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅锭的制造方法,特别是涉及一种多晶硅锭的制造方法。背景技术已知应用于多晶硅(PolycrystallineSilicon)太阳能电池的多晶硅芯片(wafer),是由多晶硅锭(ingot)切割而成,而多晶硅锭的制造方法,主要是将硅料置于坩埚中,经过加热使硅料熔融成硅熔汤,再将硅熔汤降温冷却而凝固成多晶硅锭。在生长多晶硅锭时掺杂硼(B)元素,能制成低阻抗及高光电转换效率的太阳能电池芯片。然而,在生长多晶硅锭过程中,若有高浓度的氧杂质存在时,由其所制成的太阳能电池在照光后会产生硼氧键缺陷...
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