技术编号：11945743
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及辐照剂量测量技术领域，特别涉及一种电子辐照剂量的测量方法。背景技术在大功率半导体器件生产工艺中，电子辐照环节是其中必不可少的步骤；即，通过高能电子束去轰击芯片，入射电子与硅原子相碰撞，硅原子从正常的位置移到晶格中的其他位置，从而在硅中引入了缺陷，上述缺陷可以与杂质和其他缺陷相作用，形成更复杂的缺陷，从而在禁带中形成新的电子能级。禁带中的能级对非平衡载流子的复合有贡献，从而缩短少子寿命，导致芯片参数发生变化。对芯片进行不同剂量的辐照加工，可整合芯片参数达到一个最优状态。目前剂量测量的做法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。