技术编号:11954890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种高密度存储器装置,且特别是有关于一种与非门阵列的操作方法,用于闪存的页面擦除。背景技术随着集成电路的元件的关键尺寸(criticaldimension)朝向制造技术的极限缩小,设计者正寻求能够达成较大储存容量且达成较小每位单位成本(costperbit)的技术。各种技术追求于含有多层存储单元(memorycell)的单芯片(singlechip)。具有多层存储单元的三维与非门存储器(three-dimensionalNANDmemory)的运作包含了读取(read)、写入(wr...
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