技术编号:11954903
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种例如用于半导体存储装置或半导体装置的内部电源电压产生电路、具备该内部电源电压产生电路的半导体存储装置及半导体装置。背景技术利用富尔诺罕(Fowler-Nordheim,FN)穿隧效应的如快闪存储器等非易失性存储装置,需要用于数据的写入(程序化(program))或抹除的规定高电压(HV)。此时,由于电荷泵电路的效率性的问题,使外部电源电压VCC降压是非常困难。因而,由外部电源电压VCC产生内部电源电压VDD,并用于存储装置的周边电路中,但此时必须将该内部电源电压VDD调整至周边...
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