技术编号：11955559
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。形成图案的方法相关申请的交叉引用本申请要求2014年9月16日提交的申请号为10-2014-0123032的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐述。技术领域本公开的各种实施例涉及制造半导体器件的方法，更具体而言，涉及形成精细图案的方法。背景技术在制造半导体器件时，大量的努力集中于将更多的图案集成在有限的面积内。即，试图增加半导体器件的集成密度通常已经导致越来越精细的图案形成。已经提出了各种技术用于在几纳米至几十纳米的范围内形成更精细的图案，诸如具有纳米尺度临界尺寸(CD)...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。