技术编号:11955621
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,尤其是涉及一种高频水平双扩散氧化物半导体器件及其制作方法。背景技术高频水平双扩散金属氧化物半导体(RFLDMOS)广泛应用于手机基站、广播电视和雷达等领域。如图1所示,现有的N型RFLDMOS的工艺一般包括在P型外延层20上制备P下沉层30、源层50、多晶硅层60、体区层70、漂移层80、漏层90以及P+注入层40等。RFLDMOS器件的工作原理是,下沉层30通过P+注入层40与源层50相连接,P+注入层40和源层又通过接触孔的金属短接。多晶硅层60下的沟道形成后,...
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