技术编号：11955715
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接本申请是申请日为2009年11月9日、申请号为200980145539.3、名称为“具有高发射率涂层的大型真空腔室主体的电子束熔接”的发明专利申请的分案申请。发明背景发明领域本发明揭露的实施方式一般涉及具有高发射率涂层以增加来自进入基板的热传递的大型真空腔室主体，以及经电子束熔接在一起的大面积真空腔室主体。相关技术的描述为将基板从大气环境带入真空环境，基板会通过晶片承载腔室(loadlockchamber)。为了避免基本压力改变，在从处理系统外部将基...
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