技术编号：11955736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体技术，且特别是关于一种半导体元件及其制造方法。背景技术刻蚀为相当重要的工艺模块，且刻蚀主要采取湿法刻蚀与干法刻蚀二种形式。干法刻蚀是将反应室内的反应气体离子化或解离以产生等离子体，并使具有反应性的离子向晶圆加速，通过离子与晶圆表面的欲刻蚀材料间的化学反应以驱使刻蚀反应进行。目前，为了提高生产机台的晶圆产能，利用高功率等离子体以增加刻蚀的速度是必须的。然而，当利用高功率等离子体刻蚀法以形成介层窗开口或接触窗开口时，开口底部的金属层容易因高功率等离子体而溅击至开口的侧壁上，如...
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