技术编号:11955755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。背景技术近年来,半导体器件有高集成化的趋势。随之,产生多层布线化。多层布线通过图案形成工序、研磨工序、成膜工序等的组合而形成。在形成多层布线时,要求不产生半导体器件的特性偏差。发明内容然而,由于加工上的问题,存在形成于衬底上的电路之间的距离产生偏差的情况。特别是在多层布线结构中,该偏差会对半导体器件的特性造成较大影响。因此,本发明的目的在于提供能够抑制半导体器件的特性偏差的技术。为了解决上述问题,提供一种技术,该技术具有下述工序:第一研...
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