技术编号:11955756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置及半导体装置的制造方法[相关申请]本申请享有以日本专利申请2015-110452号(申请日:2015年5月29日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域本实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。背景技术近年来,从高功能化等观点来讲,使用TSV(Through-SiliconVia,硅穿孔)的三维或2.5维的半导体装置的集成技术备受关注。在使用TSV的集成技术中,在芯片的上下表面分别形成集成用凸块(也称为贯通电极)。例如在将形成有包含凸块...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。