技术编号:11955762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体电力电子器件技术领域,特别是涉及一种应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端,还涉及了该电荷调制终端的制备方法,以及包含该电荷调制终端的碳化硅高压器件。背景技术碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大,热导率高,临界雪崩击穿电场强度高,饱和载流子漂移速度大,热稳定性好等特点,是制造功率半导体器件的理想材料。SiC高压器件与同等级的硅器件相比,具有更低的通态压降、更高的工作频率、更低的功耗、更小的体积以及更好的热特性,更适合应用于电力电子电路。SiC高压器件一般采用台面与结终端扩展(JTE)相...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。