技术编号：11955906
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种存储器模块及其制造方法。背景技术随着半导体存储器密度的增加，二维结构不再能够达到特定的需求。因此，尽管三维存储器的制造工艺存在着特殊的问题，三维存储器仍变得为人所知。一种在三维空间中产生存储器结构的方法包含形成包括设置于楼梯结构(staircasestructures)的水平层中的导电平面或表面的存储器元件。楼梯结构可先利用绝缘材料(例如氧化物)与导电材料(例如多晶硅)交替的层来形成。后续的掩模/光刻/刻蚀步骤可接着在刻蚀的步骤之间以向后逐渐剥离的...
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